| 专利名称 | 硅腐蚀局部终止层制作方法 | 申请号 | CN201210024545.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103241705A | 公开（授权）日 | 2013.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尚海平;焦斌斌;刘瑞文;陈大鹏;李志刚;卢迪克 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 硅腐蚀局部终止层制作方法 至硅腐蚀局部终止层制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅腐蚀局部终止层制作方法，包括：在含硅的衬底中形成双槽结构，双槽结构之间的衬底构成硅基热沉；对双槽结构底部进行垂直离子注入；执行高温激活和扩散工艺，使得注入的离子在双槽结构底部形成闭合的重掺杂区，所述重掺杂区包围硅基热沉的底部，构成硅腐蚀局部终止层。依照本发明的方法，使用垂直离子注入、经高温激活和扩散工艺在双深槽底部间形成闭合重硼掺杂硅区，利用腐蚀溶液对重掺杂硅区的腐蚀速率大幅度下降特性，实现腐蚀溶液腐蚀硅的腐蚀局部终止层，最终实现完整的硅基热沉制备。其工艺简单、与传统微细加工工艺兼容、并可以自由选择腐蚀终止区、缓解KOH溶液释放工艺中对于硅腐蚀表面粗糙度的要求等。 |
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