| 专利名称 | 一种臭氧调控纳米碳质薄膜光电性能及图形化的方法 | 申请号 | CN201310156354.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103241709A | 公开（授权）日 | 2013.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 杜金红;袁江潭;苏阳;马来鹏;裴嵩峰;成会明 | 主分类号 | B82B1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种臭氧调控纳米碳质薄膜光电性能及图形化的方法 至一种臭氧调控纳米碳质薄膜光电性能及图形化的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及纳米碳质薄膜的器件制作工艺，具体为一种利用臭氧处理对石墨烯、碳纳米管及其复合薄膜的光电性能进行调控并对其图形化的方法，适用于基于石墨烯或碳纳米管薄膜的电子器件及生物化学传感器等。该方法通过调节臭氧的处理温度、流量及时间，在常压下实现对纳米碳质薄膜电学和光学性能的调控。利用光刻工艺，在纳米碳质薄膜上预制具有相应图形的保护性图层，然后采用臭氧进行氧化处理，以绝缘或去除未被保护的部分，被保护的部分则仍然保留原来性质，从而得到具有相应图案的纳米碳质薄膜，实现了纳米碳质薄膜的图形化。本发明易于操作，与传统的集成电路工艺相兼容，解决了现有图形化技术中需要真空系统，设备复杂并且耗时等问题。 |
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