| 专利名称 | 利用多孔阳极氧化铝为模板化学气相沉积制备石墨烯纳米孔阵列的方法 | 申请号 | CN201210032772.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103241728A | 公开（授权）日 | 2013.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 丁古巧;谢晓明;江绵恒 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 利用多孔阳极氧化铝为模板化学气相沉积制备石墨烯纳米孔阵列的方法 至利用多孔阳极氧化铝为模板化学气相沉积制备石墨烯纳米孔阵列的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种制备石墨烯纳米孔阵列的方法，包括以下步骤：1）将碳源溶液涂敷在多孔阳极氧化铝模板的表面；2）将步骤1）所获得的表面涂有碳源的多孔阳极氧化铝模板压在金属基底表面，剥离所述多孔阳极氧化铝模板，使碳源保留在所述金属基底表面并使碳源保留与所述多孔阳极氧化铝模板表面一致的图案；3）将步骤2）所获得的金属基底于氢气和氩气的混合气流下进行退火处理，将碳源转变为石墨烯纳米孔阵列。本发明所得到的纳米孔阵列是联系的纳米孔阵列结构，并非单个或几个纳米孔；纳米孔孔径可以通过PAA本身的模板效应来调节，也可以通过后期的生长和刻蚀进一步调节，因此，孔径的可控性非常优异。 |
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