一种极低温下半导体量子点低噪测量系统

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专利名称 一种极低温下半导体量子点低噪测量系统 申请号 CN201310125176.5 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN103235251A 公开(授权)日 2013.08.07 申请(专利权)人 中国科学技术大学 发明(设计)人 尚汝南;郭国平;李海鸥;曹刚;肖明;郭光灿 主分类号 G01R31/26(2006.01)I IPC主分类号 G01R31/26(2006.01)I 专利有效期 一种极低温下半导体量子点低噪测量系统 至一种极低温下半导体量子点低噪测量系统 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 一种极低温下半导体量子点低噪测量系统,包括:热沉部分、铜粉滤波器和PCB板载滤波器;热沉部分由制冷机PT1层线夹热沉、PT2层线夹热沉、Still层线夹热沉、100mK层线夹热沉和MC层线夹热沉构成;测量和控制线进入热沉部分后依次通过制冷机PT1层线夹热沉、制冷机PT2层线夹热沉、制冷机Still层线夹热沉、制冷机100mK层线夹热沉和制冷机MC层线夹热沉后至制冷机混合室冷板,经过制冷机混合室最后一级冷板后焊接在D型接口上,D型接口与铜粉滤波器的D型接口入口相连;测量和控制线再经过铜粉滤波器后,由铜粉滤波器的D型接口出口离开,通过一段测量和控制线后,排针接口进入PCB板载滤波电路,最后测量和控制线连接到量子点测量样品相应的电极上。本发明降低了热噪声和电路噪声。

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