| 专利名称 | 一种氧传感器芯片 | 申请号 | CN201220746845.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203117181U | 公开（授权）日 | 2013.08.07 | 申请（专利权）人 | 赣州虔东稀土集团股份有限公司;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 谢楠;彭牛生;冯涛;夏金峰 | 主分类号 | G01N33/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N33/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氧传感器芯片 至一种氧传感器芯片 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型氧传感器芯片，涉及一种在表面被覆了保护层的氧传感器芯片。包括保护层（1）、测氧材料（2）及基体（3），所述测氧材料（2）位于基体（3）表面，测氧材料（2）表面被保护层（1）覆盖。本实用新型氧传感器芯片上的保护层（1）、基体（3）以及测氧材料（2）之间有较好的粘结强度和热匹配。本实用新型氧传感器芯片可以在恶劣工况下长期工作，有效延长氧传感器芯片使用寿命。 |
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