| 专利名称 | 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 | 申请号 | CN201310135986.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103233271A | 公开（授权）日 | 2013.08.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 郭晓璐;马文全;张艳华 | 主分类号 | C30B29/68(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/68(2006.01)I;C30B19/00(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 至一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法，包括步骤S1：在半绝缘GaAs衬底上外延生长GaAs缓冲层；步骤S2：在所述GaAs缓冲层上外延生长GaSb缓冲层；步骤S3：在所述GaSb缓冲层上外延生长InAs/GaSb超晶格结构。本发明在所述生长过程中通过控制As、Sb束流比以及InSb界面层的厚度以实现较好的材料质量。本发明通过控制InAs层和GaSb层的厚度比例关系可以实现在不同红外波段的响应，并进一步可以制作多种波段的红外探测器器件。 |
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