| 专利名称 | 一种基于反铁磁自旋转向现象的传感器 | 申请号 | CN201310136977.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103235274A | 公开（授权）日 | 2013.08.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 邹吕宽;蔡建旺 | 主分类号 | G01R33/09(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R33/09(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于反铁磁自旋转向现象的传感器 至一种基于反铁磁自旋转向现象的传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供的一种基于反铁磁自旋转向(spin?flop)现象的传感器，由人工反铁磁多层膜组成，其中，所述人工反铁磁多层膜采用磁控溅射制备而成，其结构由下至上包括：基片、缓冲层、第一铁磁层、非磁金属层、第二铁磁层和盖帽层。本发明的传感器可以在发生spin?flop时使电阻值产生迅速变化。 |
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