| 专利名称 | 一种向下热蒸发介质保护膜层的制备方法 | 申请号 | CN201310161118.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103233201A | 公开（授权）日 | 2013.08.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 裴文俊;刘洪祥 | 主分类号 | C23C14/26(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/26(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;G02B1/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种向下热蒸发介质保护膜层的制备方法 至一种向下热蒸发介质保护膜层的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种向下热蒸发介质保护膜层的制备方法，其特征在于：装载介质材料的蒸发源位于真空室内部上方、待镀主镜位于下方自上而下蒸发，采用常见的热蒸方式。保护膜材料为一氧化硅（SiO），装载于经过特殊设计的钼蒸发舟中，加热升华向下运动，与氮气发生作用生成透明、牢固的SiOxNy保护膜层。本发明提供一种为大型主镜自上向下热蒸发介质保护膜层的制备方法，具有结构简单、成本低、应用广泛的优点。 |
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