| 专利名称 | 一种芯片表面形貌仿真的方法及装置 | 申请号 | CN201310092423.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103226627A | 公开（授权）日 | 2013.07.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐勤志;陈岚 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种芯片表面形貌仿真的方法及装置 至一种芯片表面形貌仿真的方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种芯片表面形貌仿真的方法及装置，用于解决GW模型芯片表面形貌仿真时误差较大的问题。包括：确定与芯片连接线宽相关的研磨垫有效特征粗糙参数；根据有效特征参数确定研磨垫粗糙峰的修正指数分布；根据指数分布及赫兹弹性理论建立研磨垫与芯片表面接触压力和研磨垫形变量的第一关系式；根据接触力学方程建立研磨垫与芯片表面接触压力与研磨垫形变量的第二关系式；根据第一关系式及第二关系式计算研磨垫与芯片表面接触压力及研磨垫形变量的关系式；使用所述芯片的接触压力以及形变量的关系式进行芯片表面形貌仿真。该技术方案避免了GW模型在小线宽CMP工艺仿真中的错误结论，提高了GW模型的模拟预测精度。 |
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