| 专利名称 | 高性能半导体电子器件 | 申请号 | CN201310138569.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103227199A | 公开（授权）日 | 2013.07.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 王越;蔡勇;于国浩;董志华;张宝顺 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 高性能半导体电子器件 至高性能半导体电子器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种高性能半导体电子器件，包括分布在衬底上的异质结结构和导电电极，所述导电电极包括源、漏、栅极，其中异质结结构主要由上、下层异质材料组成，上、下层异质材料界面处形成有量子阱限定的二维电子气，并且该半导体电子器件采用台面隔离结构，且除台面以外的区域均不存在缓冲层，同时导电电极与台面侧壁之间至少还设有一介质层，而至少衬底内对应于所述台面的区域由绝缘或半绝缘材料构成。优选的，异质结结构上端面还可分布有沟道阵列，该沟道阵列包括并行排布的若干微纳米沟道。本发明能够有效降低或杜绝器件由于缓冲层缺陷、缓冲层和衬底界面态载流子等产生的漏电问题，进而有效提升器件性，适用于各种基于异质结的半导体电子器件。 |
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