| 专利名称 | 基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器 | 申请号 | CN201310095986.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103227416A | 公开（授权）日 | 2013.07.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 渠红伟;郑婉华;张冶金;张建心;刘磊;齐爱谊;王海玲;马绍栋;石岩 | 主分类号 | H01S5/065(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/065(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I | 专利有效期 | 基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器 至基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层，该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的两侧为整体结构，一侧为增益区，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，该横向微纳周期结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上方，一绝缘层，制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的一侧面；一P型电极，制作在P型上限制层脊形结构的两侧、绝缘层的上面，其中该脊型结构两侧为整体结构部分，一侧为增益区，位于激光器出光端面一侧，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，紧挨着增益区。 |
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