| 专利名称 | 一种侧向生长ZnMgO纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法 | 申请号 | CN201310123454.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103227230A | 公开（授权）日 | 2013.07.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 邵景珍;方晓东;董伟伟;邓赞红;秦娟娟 | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种侧向生长ZnMgO纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法 至一种侧向生长ZnMgO纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种侧向生长ZnMgO纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法。该探测器包括有衬底、衬底上的叉指状ZnO薄膜种子层、蒸镀在ZnO种子层顶部的叉指状金属电极以及在叉指状ZnO薄膜种子层侧面生长的ZnMgO纳米线。本发明中ZnMgO纳米线具有高的比表面积，可以有效实现光生载流子的分离，具有更高的光电流增益，器件制作工艺简单、成本低。 |
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