| 专利名称 | 一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构 | 申请号 | CN201310161729.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103226252A | 公开（授权）日 | 2013.07.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 曹彤彤;陈少武 | 主分类号 | G02F1/025(2006.01)I | IPC主分类号 | G02F1/025(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构 至一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构，该掺杂结构包括一硅基电光调制器调制区波导，该波导为脊型光波导结构，在该波导内分别有第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域，其中在该第二掺杂区域与第三掺杂区域的交界处形成类似U形的PN结电学调制结构，第一掺杂区域和第四掺杂区域分别接金属导线并与高频驱动电路相连接。将该掺杂结构应用到耗尽型硅基电光调制器中，能够提高调制器的调制效率，同时降低载流子吸收损耗。 |
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