| 专利名称 | 六边形纳米片阵列及其制备方法 | 申请号 | CN201310121444.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103224215A | 公开（授权）日 | 2013.07.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 刘广强;段国韬;李越;其他发明人请求不公开姓名 | 主分类号 | B81B1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 六边形纳米片阵列及其制备方法 至六边形纳米片阵列及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种六边形纳米片阵列及其制备方法。阵列为衬底上附有按六方有序排列的周期为200～2000nm的六边形纳米片阵列，其中，六边形纳米片的片厚为10～100nm、片单边长为100～1500nm，其由金属或金属氧化物构成；方法为先于衬底上涂敷聚甲基丙烯酸甲酯、将聚苯乙烯胶体球附于其上、使用氩等离子体刻蚀，得到其上依次覆有聚甲基丙烯酸甲酯和六边形单层胶体晶体模板的衬底，再于其上蒸镀铝膜、使用粘连的方法将六边形单层胶体晶体模板及其上的铝膜去除，之后，先对其使用氧等离子体刻蚀、蒸镀金属或金属氧化物，再将其置于二氯甲烷溶液中溶去聚甲基丙烯酸甲酯后，进行洗涤和氮气吹干的处理，制得目标产物。它可广泛用于光电器件、生物传感、纳米电极等领域。 |
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