| 专利名称 | 石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料及其制备方法 | 申请号 | CN201210016257.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103219061A | 公开（授权）日 | 2013.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;周密;毕辉 | 主分类号 | H01B1/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B1/18(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料及其制备方法 至石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种新型的石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料与制备方法。所述方法包括：将粉体材料经过压片成型，形成多孔基底；并采用在绝缘底衬上直接生长石墨烯的方法得到石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料，该材料具有优良的导电性能。本发明所用陶瓷材料为二氧化硅、三氧化二铝、氮化铝、碳化硅、氧化锆和碳化硼等材料，通过成型方法得到多孔材料；利用化学气相沉积的方法，运用直接在绝缘底衬上生长石墨烯的工艺宏量制备石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料。该石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料的制备具有原创性和积极的科学意义，并能应用到光伏、导电、散热等诸多领域。 |
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