| 专利名称 | 一种基于子距离像偏移差的星载SAR电离层定标方法 | 申请号 | CN201310098476.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103217669A | 公开（授权）日 | 2013.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 黄丽佳;丁赤飚;胡东辉;胡文龙;胡玉新;雷斌;付琨;张弘毅 | 主分类号 | G01S7/40(2006.01)I | IPC主分类号 | G01S7/40(2006.01)I;G01S13/90(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于子距离像偏移差的星载SAR电离层定标方法 至一种基于子距离像偏移差的星载SAR电离层定标方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种基于子距离像偏移差的星载SAR电离层定标方法，消除非理想矩形包络的影响的同时消除采样率的限制，提高电离层TEC测量精度的鲁棒性。第一步：利用低通滤波器和高通滤波器将强散射点目标信号或者有源定标器信号分解为两个上下子带脉冲信号；第二步：将上下子带脉冲信号距离压缩；第三步：将上下子距离像包络进行互相关，得到归一化互相关能量谱；第四步：提取第三步中归一化互相关能量谱的相位谱，通过估计相位随频率f变化的斜率，得到Δtshift的估计值，进而得到电离层TEC的估计值；电离层产生的子距离像偏移差在亚像素量级，即Δtshift＜1/fs，其中fs表示雷达采样率，则归一化互相关能量谱不会产生相位缠绕。 |
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