| 专利名称 | GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法 | 申请号 | CN201310151500.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103219414A | 公开（授权）日 | 2013.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0725(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/0735(2012.01)I;H01L31/0304(2006.01)I | 专利有效期 | GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法 至GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：采用GaAs作为支撑衬底，在其中一面键合一层InP，通过双面生长技术，分别在GaAs衬底上生长与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池以及在InP层上生长与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池，所述InP的厚度为0.5~10μm。本发明提出的四结太阳电池，不但减少InP衬底的消耗，同时还有效解决了生长单片多结级联太阳电池材料的晶格失配问题。实现高电压、低电流输出的四结级联太阳电池，有利于提高对太阳光能量的利用。 |
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