| 专利名称 | 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法 | 申请号 | CN201310153962.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103219152A | 公开（授权）日 | 2013.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 韩方明;孟国文;胡小晔;赵相龙;吴兵 | 主分类号 | H01G4/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01G4/10(2006.01)I;H01G4/008(2006.01)I;H01G4/38(2006.01)I;C25D11/06(2006.01)I;C25D11/12(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I | 专利有效期 | 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法 至基于纳米电极的静电电容器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于纳米电极的静电电容器及其制备方法。电容器为阳极氧化铝模板中置有两组相互平行对插且互不连通的、开口分别朝向不同表面的、孔中沉积有与其表面覆有的导电膜电连接的碳纳米管的孔阵列；方法为先使用二次阳极氧化法得到其一面置有第一孔阵列、背部于第一孔阵列的孔形成的圆弧形障碍层的周边置有与第一孔阵列的孔相平行的隙缝的二次氧化铝模板，再将二次氧化铝模板的背部置于酸性氯化铜溶液中腐蚀得到一面置有第一孔阵列、背面置有第二孔阵列的阳极氧化铝模板，之后，先使用化学气相沉积技术于第一孔阵列和第二孔阵列的孔中沉积碳纳米管，再于阳极氧化铝模板的两面蒸镀导电膜，制得目标产物。它可广泛用于能量存储和利用领域。 |
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