| 专利名称 | 一种等离子体沉积及刻蚀系统 | 申请号 | CN201310145946.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103215561A | 公开（授权）日 | 2013.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 李俊杰;顾长志;李云明;田士兵;李林 | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/44(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 专利有效期 | 一种等离子体沉积及刻蚀系统 至一种等离子体沉积及刻蚀系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种等离子体沉积及刻蚀系统，包括：腔体、设置在腔体内的阴极载物台，上栅极，加热装置，其中，还包括用于冷却上栅极的冷却装置；用于为上栅极、加热装置以及加热装置、阴极之间提供偏压的偏压电源。其通过采用多根平行、均匀分布的灯丝作为加热装置，提升了加热效率和加热的稳定性，实现了大面积均匀温度场的分布，为大面积薄膜样品的沉积提供条件；在灯丝的上部设置有上栅极，有利于促进等离子体的形成，降低起辉阈值，通过调节栅极电压，可以通过调节等离子体的浓度从而增加工艺的可控性；在上栅极、阴极和腔体侧壁设置循环水冷系统，保证了装置的稳定性；增加了偏压电源控制系统，保证了系统所需电压的稳定输出，满足刻蚀功能的需要。 |
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