| 专利名称 | 真空解理系统及解理半导体芯片的方法 | 申请号 | CN201310097644.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103219644A | 公开（授权）日 | 2013.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 吴燕华;刘德利;冯美鑫;曾中明;张宝顺;杨辉 | 主分类号 | H01S5/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/02(2006.01)I | 专利有效期 | 真空解理系统及解理半导体芯片的方法 至真空解理系统及解理半导体芯片的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种真空解理系统，包括解理装置，其包括第一进样台及对应于所述第一进样台设置的劈刀，用于半导体芯片的输送及解理成巴条；设有第二进样台的陪片输送装置，用于往所述巴条之间插入陪片；以及，设有巴条盒的采样装置，所述采样装置设于所述解理装置及所述陪片输送装置之间；所述第一进样台出口及所述第二进样台出口分别与所述巴条盒入口对应。本发明还提供利用上述解理系统解理半导体芯片的方法。本发明能实现在真空条件下自然解理激光器芯片，并从进样、解理、镀膜到取样的整个操作过程均不触及激光器的腔面，从而可以大幅度提高激光器的质量和制作效率。 |
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