| 专利名称 | 三结太阳电池及其制备方法 | 申请号 | CN201310149617.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103219404A | 公开（授权）日 | 2013.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 于淑珍;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;赵勇明;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 三结太阳电池及其制备方法 至三结太阳电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层，各子电池之间晶格常数匹配，带隙组合为1.93eV、1.39eV、0.94eV。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。 |
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