| 专利名称 | 利用激光制作垂直多结太阳能电池片的方法 | 申请号 | CN201310102530.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103219421A | 公开（授权）日 | 2013.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 赵全忠;董明明 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 利用激光制作垂直多结太阳能电池片的方法 至利用激光制作垂直多结太阳能电池片的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种利用激光在半导体材料中制作垂直多结太阳能电池片的方法，将半导体材料放在装有透明窗口的真空室中，真空室安装在三维移动平台上，利用激光对处于杂质氛围中的半导体材料进行区域选择性掺杂形成p型层或n型层掺杂条纹序列，形成的p-n结或p-i-n结序列的耗尽层平面垂直于光照面，在背面刻蚀电极槽从而制作垂直多结太阳能电池片。本发明为垂直多结太阳能电池片提供了廉价、简易的全激光制作工艺。 |
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