| 专利名称 | 多端口读写的片内存储器 | 申请号 | CN201310140319.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103219037A | 公开（授权）日 | 2013.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 龙希田;杨杰;石匆;吴南健 | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 专利有效期 | 多端口读写的片内存储器 至多端口读写的片内存储器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种多端口读写的片内存储器，包括：依次连接的三级电路结构，第一级电路结构用于输入数据的锁存与存储单元的选通，第二级电路结构用于将数据写入存储单元中并存储起来，第三级电路结构用于存储数据的读出，其中，该第一级电路结构包括写地址译码器，时钟门控逻辑电路，以及数据输入锁存器，其输入端与时钟门控逻辑电路的输出端连接；该第二级电路结构包括多个静态随机存储单元，其输入端分别与写地址译码器和数据输入锁存器的输出端连接；该第三级电路结构包括多路选择器，其输入端与多个静态随机存储单元的各输出端相连；读地址译码器，其输出端分别与多路选择器的输入端连接；数据输出锁存器，其输入端与多路选择器的输出端连接。 |
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