| 专利名称 | 基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法 | 申请号 | CN201210017883.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103219274A | 公开（授权）日 | 2013.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;陈达;刘林杰;狄增峰;薛忠营 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法 至基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法。根据本发明的方法，先在衬底表面形成由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的量子阱结构的材料层后，进行退火处理；接着在已形成的结构表面先低温生长Si1-xGex和/或Si以修复表面，再形成由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的量子阱结构的材料层，并进行退火处理，如此重复两三个周期后，再在所形成的结构表面低温生长Si1-xGex/Si的材料层，并采用智能剥离技术将已形成Si1-xGex/Si材料层转移到含氧衬底的含氧层表面，由此可形成高质量的SGOI或sSOI结构。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障