| 专利名称 | 二维石墨烯与一维纳米线复合的柔性导电薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201210017879.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103219066A | 公开（授权）日 | 2013.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;毕辉;林天全 | 主分类号 | H01B5/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B5/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01B1/04(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 二维石墨烯与一维纳米线复合的柔性导电薄膜及其制备方法 至二维石墨烯与一维纳米线复合的柔性导电薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种二维石墨烯与一维纳米线复合的柔性导电薄膜及其制备方法。所述制备方法包括：将石墨烯、纳米线与分散助剂分散到溶剂中，超声震荡，得到分散良好的石墨烯/纳米线溶液，经真空抽滤、干燥后，得到石墨烯/纳米线复合薄膜。所述复合薄膜厚度为10nm-1000μm，有良好的强度和柔性，方块电阻在0.001-3000Ω/sq.范围内，电导率为0.01-5000S/cm。本发明得到的石墨烯/纳米线复合薄膜具有良好的强度、柔性和导电性，厚度可控、形状可剪裁，并且制备过程简单，易于操作，制备成本低，适合于太阳电池、储能、散热、催化、传感及导电复合材料领域。 |
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