| 专利名称 | 一种IGBT版图 | 申请号 | CN201220672867.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203070296U | 公开（授权）日 | 2013.07.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 左小珍;朱阳军;吴振兴;卢烁今 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种IGBT版图 至一种IGBT版图 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开一种IGBT版图，属于半导体大功率器件的技术领域。该版图元胞区、源极压焊点、栅极压焊点和多晶硅，源极压焊点位于元胞区上，元胞区由多个元胞排列并联组成，元胞的栅极通过多晶硅相连，并将栅极的电位引出至栅极压焊点，其中，栅极压焊点下的金属层的下方为氧化层，氧化层下为多晶硅层，多晶硅层包括多个块状多晶硅，多个块状多晶硅之间互不相连。本实用新型利用了减小多晶硅面积来实现栅极电容的减小,从而减小电容充放电速度，减小器件开关时间，提高器件性能。 |
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