| 专利名称 | 一种石墨烯调制的高K金属栅Ge基MOS器件的制作方法 | 申请号 | CN201310095306.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103208425A | 公开（授权）日 | 2013.07.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 狄增峰;郑晓虎;王刚;张苗;王曦 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种石墨烯调制的高K金属栅Ge基MOS器件的制作方法 至一种石墨烯调制的高K金属栅Ge基MOS器件的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种石墨烯调制的高k金属栅Ge基MOS器件的制作方法，包括步骤：1）于Ge基衬底上引入石墨烯薄膜；2）对石墨烯薄膜进行氟化处理形成氟化石墨烯；3）采用臭氧等离子体活化氟化石墨烯表面，然后通过原子层沉积技术于氟化石墨烯表面形成高k栅介质；4）于高k栅介质表面形成金属电极。本发明利用石墨烯作为钝化层抑制Ge基衬底表面非稳定氧化物GeOx形成，同时阻挡栅介质与Ge基衬底间的互扩散，提高Ge与高k栅介质层之间的界面性质。氟化石墨烯能够在保持石墨烯优良特性的基础上使石墨烯变为质量较好的绝缘体，减少其对Ge基器件电学性能的影响。采用臭氧等离子处理Ge基石墨烯，然后采用原子层沉积技术可以获得超薄的Hf基高k栅介质层。 |
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