| 专利名称 | 一种掺氮二氧化钛薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201210007712.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103205730A | 公开（授权）日 | 2013.07.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 夏洋;饶志鹏;万军;李超波;陈波;刘键;江莹冰;石莎莉;李勇滔 | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种掺氮二氧化钛薄膜的制备方法 至一种掺氮二氧化钛薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及二氧化钛制备的技术领域，具体涉及一种掺氮二氧化钛薄膜的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；以氮气为载气向原子层沉积设备反应腔中通入含钛源气体，含钛源气体中的钛原子吸附在硅衬底上；向原子层沉积设备反应腔中通入氮气，同时进行等离子体放电，氮气电离后部分氮原子与部分钛原子形成共价键；向原子层沉积设备反应腔中通入含氧源，未与氮原子反应的钛原子与含氧源中的氧原子形成钛氧键；重复上述步骤即可逐层生长含氮原子的二氧化钛薄膜。本发明利用ALD设备对二氧化钛薄膜进行氮掺杂，能够实现均匀的在整个结构中掺氮，且掺杂后氮元素含量高，性能显著增加。 |
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