| 专利名称 | 一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201210007603.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103205805A | 公开（授权）日 | 2013.07.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 饶志鹏;夏洋;万军;李超波;陈波;刘键;江莹冰;石莎莉;李勇滔 | 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/02(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I | 专利有效期 | 一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法 至一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：(1)将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；(2)向原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，碳源气体作为第一反应前驱体在硅衬底表面进行碳化学吸附，碳源气体中的碳原子吸附在硅衬底上；(3)吸附在硅衬底上的碳原子与电离后的第二反应前驱体在氢气的辅助下发生反应，产生相应的产物，直到硅衬底表面的碳原子完全消耗；(4)重复步骤(2)和(3)，即可在衬底表面形成单晶立方形氮化碳薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备单晶立方形氮化碳薄膜，该制备方法操作简单，转化率高，能耗小，且制得的单晶立方形氮化碳薄膜结构完整。 |
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