| 专利名称 | 石墨烯晶片的制备方法 | 申请号 | CN201210009208.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103204493A | 公开（授权）日 | 2013.07.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 夏洋;李超波;解婧;罗巍;张阳 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 专利有效期 | 石墨烯晶片的制备方法 至石墨烯晶片的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种石墨烯晶片的制备方法，包括对需要沉积石墨烯晶片的衬底和石墨材料表面进行活化处理；通过离子注入方法控制石墨烯的厚度；将衬底与石墨表面接触，施加外物理场使石墨烯晶片从石墨材料表面剥离下来并沉积到衬底表面。本发明提供的石墨烯晶片的制备方法直接将高质量石墨烯制备到合适的衬底上，可实现准确定位到衬底某一指定位置，并且制备的石墨烯晶片厚度和尺寸都可控。同时该制备方法工艺流程简单，设备与微电子工艺设备兼容，不需要大量的人工劳动力，重复性好，可以用于自动化宏量生产石墨烯晶片。 |
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