| 专利名称 | 一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201210007622.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103205806A | 公开（授权）日 | 2013.07.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 饶志鹏;万军;夏洋;陈波;李超波;石莎莉;李勇滔;李楠 | 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/02(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I | 专利有效期 | 一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法 至一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入包含碳氮元素的第一反应前驱体，碳氮原子在硅衬底表面进行化学吸附；通过氧化反应使硅衬底表面形成羟基结构；羟基结构在高温下脱水形成N-O-C结构；通入第二反应前驱体，通过还原反应还原掉O元素并形成相应的副产物，直到硅衬底表面的碳氮原子完全自发成键；重复上述步骤，即可在衬底表面形成单晶立方形氮化碳薄膜。本发明同时沉积碳氮元素，并利用氢的还原性来实现薄膜的生长，操作简单，转化率高，能耗小，且制得的单晶立方形氮化碳薄膜结构完整。 |
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