| 专利名称 | 一种可控石墨烯阵列的制备方法 | 申请号 | CN201210008150.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103204455A | 公开（授权）日 | 2013.07.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 狄增峰;陈龙;王刚;魏星;张苗;王曦 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种可控石墨烯阵列的制备方法 至一种可控石墨烯阵列的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种可控石墨烯阵列的制备方法，采用晶向相同的两硅衬底进行小角度键合形成方形网格状的螺旋位错，由于位错引起硅表面应力分布不均，利用应力选择性腐蚀，对位错线影响的垂向对应的区域进行刻蚀，形成正方形网格状的图形化硅岛，采用电子束外延形成具有偏析特性的金属纳米颗粒，最后采用化学气相沉积法与偏析方法制备出所述石墨烯阵列。采用本发明制备的石墨烯阵列具有很高的可控性和可靠性，石墨烯阵列的分布通过硅硅小角度键合进行控制，可达到较高的精度。本发明制备方法工艺简单，效果显著，且兼容于一般的半导体工艺，适用于工业生产。 |
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