| 专利名称 | 用ALD设备生长氮化镓薄膜的方法 | 申请号 | CN201210007703.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103205729A | 公开（授权）日 | 2013.07.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 饶志鹏;万军;夏洋;陈波;李超波;石莎莉;李勇滔;李楠 | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 专利有效期 | 用ALD设备生长氮化镓薄膜的方法 至用ALD设备生长氮化镓薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开用ALD设备生长氮化镓薄膜的方法，包括步骤10、将碳化硅衬通过标准液和氢氟酸处理处理表面并放置于原子层沉积设备反应腔中；步骤20、向所述原子层沉积设备反应腔中通入镓源气体，所述镓源气体作为第一反应前驱体源在碳化硅衬底表面进行化学吸附，所述镓源气体中的镓原子吸附在所述碳化硅衬底上；步骤30、吸附在碳化硅衬底上的镓原子与电离后的第二反应前驱体在氢气的辅助下发生反应，直到所述碳化硅衬底表面的镓原子完全消耗；重复步骤20、30，即可在所述碳化硅衬底表面形成氮化镓薄膜。本发明提供的方法能够实现均匀的在整个结构中掺氮，且掺杂后氮元素含量高，薄膜结构完整。 |
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