| 专利名称 | 一种去除碳化硅基底上硅厚膜的方法 | 申请号 | CN201310066232.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103204709A | 公开（授权）日 | 2013.07.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 王彤彤;高劲松;王笑夷 | 主分类号 | C04B41/91(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B41/91(2006.01)I | 专利有效期 | 一种去除碳化硅基底上硅厚膜的方法 至一种去除碳化硅基底上硅厚膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明去除碳化硅基底上硅厚膜的方法属于薄膜沉积技术领域，该方法是使用化学试剂去除硅厚膜，先用碱和酸的溶剂将表面的有机污染物去除，然后使用混合酸溶液将硅厚膜腐蚀、去除，最后将碳化硅基底表面清洗干净。本发明的有益效果是：该方法可以在不损伤碳化硅基底和表面面形的前提下快速去除硅厚膜，克服了物理抛光法带来的周期长、耗时多和容易改变碳化硅基底的镜胚面形的技术风险问题，有效地提高了碳化硅基底的加工效率，具有很高的实用价值。 |
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