| 专利名称 | 一种测量85Kr同位素的原子个数的方法和系统 | 申请号 | CN201310080491.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103196911A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 胡水明;程存峰;孙羽;成国胜;刘安雯 | 主分类号 | G01N21/84(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/84(2006.01)I;G01N27/62(2006.01)I | 专利有效期 | 一种测量85Kr同位素的原子个数的方法和系统 至一种测量85Kr同位素的原子个数的方法和系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种测量85Kr同位素的原子个数的系统。冷却激光照射装置将冷却激光调制装置输出的85Kr冷却波长激光输出至冷却腔用于对85Kr气体冷却，减速激光照射装置将减速激光调制装置输出的85Kr减速波长激光输出至减速腔用于对85Kr气体减速，囚禁激光照射装置将囚禁激光调制装置输出的85Kr囚禁波长激光输出至囚禁腔用于对85Kr气体囚禁；单原子计数装置对囚禁腔中被囚禁的原子的个数进行计数。照射冷却腔、减速腔和囚禁腔的激光分别为85Kr冷却、减速和囚禁的特定波长，因此只有85Kr被囚禁。本发明不需要粒子加速器等昂贵的电子设备，节约了成本，并且由于85Kr原子被激发到亚稳态，再经冷却、减速后被囚禁的效率高，实现了高效测量85Kr原子个数。本发明还提供了一种测量85Kr同位素的原子个数的方法。 |
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