| 专利名称 | 一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法 | 申请号 | CN201210006294.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103199026A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈骁;罗乐;汤佳杰;徐高卫 | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/60(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法 至一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法，其特征是利用晶圆带有两条平行切边的特点，将TSV晶圆与支撑晶圆带有金层的面相对、圆心重合但晶圆不重合后进行Au-Au键合。键合后用铜导电胶带与电镀引线夹具连接实现TSV电镀填充。其工艺步骤为：在已刻蚀出TSV的TSV晶圆的背面和裸支撑晶圆的一面上分别先后溅射一层TiW和Au层；将TSV晶圆的Au层面与裸支撑晶圆的Au层面相对并且完全重合，然后将其中一片晶圆以圆心为中心旋转90度，另一片不动，然后在保证圆心重合后升温加压进行Au-Au键合。然后用铜导电胶带分别贴住露出的四个切边部位的种子层，引到键合晶圆的正面，电镀引线夹具导电胶带接触实现TSV电镀填充，并将导电胶带撕掉去除。 |
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