| 专利名称 | 超低发散角倾斜光束单纵模人工微结构激光器 | 申请号 | CN201310096102.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103199435A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 渠红伟;张冶金;张建心;刘磊;齐爱谊;王海玲;马绍栋;石岩;郑婉华 | 主分类号 | H01S5/065(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/065(2006.01)I;H01S5/24(2006.01)I | 专利有效期 | 超低发散角倾斜光束单纵模人工微结构激光器 至超低发散角倾斜光束单纵模人工微结构激光器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器，包括：一衬底和在衬底上制作的N型下限制层、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层、P型欧姆接触层、绝缘层，一P型电极制作在绝缘层上；一N型电极，制作在衬底的背面；该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，用于形成电流注入通道和纵向侧向光场限制；其中该脊型结构的整体结构部分为脊型波导增益区，另一侧的人工微结构部分为人工微结构选模区。本发明可增大模场面积，实现超低垂直发散角，改善单模激光器光束质量，提高与光纤或光栅的耦合效率。该激光器只需一次外延和普通光刻技术即可实现单模工作，低制作成本。 |
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