| 专利名称 | 正装四结太阳电池及其制备方法 | 申请号 | CN201310082859.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103199130A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 孙玉润;董建荣;李奎龙;曾徐路;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 正装四结太阳电池及其制备方法 至正装四结太阳电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种正装四结太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结以及GaInP顶电池，所述GaInP顶电池和所述GaAs衬底上分别设有电极。本发明所有子电池晶格常数与GaAs衬底匹配，降低了生产成本，制备工艺简单。带隙组合为1.90eV、1.42eV、约1.00eV、约0.7eV，具有较高的开路电压，减小了光电转换过程中的热能损失，提高了电池效率。采用正装生长方法生长，避免了倒置生长电池结构需要先与其它支撑衬底材料键合再去除GaAs衬底的复杂工艺，降低了电池的制作难度。 |
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