| 专利名称 | 一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法 | 申请号 | CN201310118141.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103199164A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 曾建平;闫建昌;王军喜;丛培沛;孙莉莉;董鹏;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/10(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/10(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法 至一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种AlGaN基DBR高反射紫外发光二极管及制作方法。该紫外发光二极管依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层；其中，所述p型AlGaN势垒层上制作有DBR高反射结构。本发明提出的紫外发光二极管中被p型GaN冒层吸收的光线经过所述DBR高反射结构反射后，由底部发出，极大的提高了出射光的功率和效率。本发明提出的上述其外发光二极管器件及其制作方法工艺简单，重复性好，可靠性高，可用于空气/水净化，医疗，生物医学，白光照明以及空间通信等领域。 |
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