| 专利名称 | GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201310114572.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103199142A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0725(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/074(2012.01)I;H01L31/0328(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池及其制备方法 至GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池，其带隙能量分别为1.89eV、1.42eV、1.0eV以及0.67eV；包括Ge子电池、第一隧道结、渐变过渡层、InGaAs子电池、(In)GaAs键合层、GaAs或GaInP键合层、GaAs子电池、第二隧道结以及GaInP子电池。本发明还提供一种GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一Ge子电池；2）在Ge子电池表面依次生长成核层、第一缓冲层、第一隧道结、渐变过渡层、InGaAs子电池以及(In)GaAs键合层；3）提供一GaAs衬底；4）在GaAs衬底上依次生长第二缓冲层、牺牲层、GaAs或GaInP键合层、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池以及GaAs接触层；5）剥离GaAs衬底；6）将(In)GaAs键合层与GaAs或GaInP键合层键合。 |
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