| 专利名称 | 一种在GaP表面制备锥状结构的方法 | 申请号 | CN201310093588.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103199161A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 杨海方;刘哲;顾长志;尹红星;夏晓翔 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I | 专利有效期 | 一种在GaP表面制备锥状结构的方法 至一种在GaP表面制备锥状结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种在GaP表面制备锥状结构的方法，在GaP样品表面上旋涂光刻胶，利用微、纳米尺度图形制备技术在光刻胶上制备孔状光刻胶阵列图形，得到含有孔状光刻胶阵列图形的样品；利用金属镀膜设备，在含有孔状光刻胶阵列图形的样品上生长一层金属层并溶脱，得到含有金属柱状图形阵列的样品；利用干法刻蚀设备对含有金属柱状图形阵列的GaP样品进行刻蚀，得到具有锥状阵列结构的GaP样品；将具有锥状阵列结构的GaP样品置于金属腐蚀液中清洗，去除表面残留的金属层，在GaP表面得到锥状阵列结构。该锥状阵列结构可用于AlGaInP基红光LED光提取效率的增强。 |
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