| 专利名称 | 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 | 申请号 | CN201310088301.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103194793A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 李密锋;喻颖;贺继方;査国伟;尚向军;倪海桥;贺振宏;牛智川 | 主分类号 | C30B23/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B23/02(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 至一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种低密度InAs量子点的生长方法，该方法包括：步骤1：生长InAs有源层量子点前插入InAs牺牲层量子点；步骤2：原位高温退火使InAs牺牲层量子点完全解吸附；步骤3：微调InAs牺牲层量子点二维到三维转化的临界生长参数，生长InAs有源层量子点。原位获取的InAs量子点二维到三维转化的临界生长参数有效的减小了系统随机误差带来的影响，使得临界参数附近InAs量子点的低密度具有较高的重复性，有效提高了低密度InAs量子点生长的成功率。原子力显微镜图显示密度在108/cm2，微区光致光谱的尖锐峰进一步表明量子点的密度很低，该方法生长的低密度量子点适用于单光子源器件的制备。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障