| 专利名称 | 用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件 | 申请号 | CN201210004093.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103197484A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈小龙;王顺冲;彭同华;王刚;刘春俊;王文军;金士锋 | 主分类号 | G02F1/355(2006.01)I | IPC主分类号 | G02F1/355(2006.01)I;G02F1/39(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I | 专利有效期 | 用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件 至用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件。该非线性光学晶体用于改变具有特定频率的至少一束激光(12)，产生至少一束不同于所述频率的另一特定频率的激光(16)，所述非线性光学晶体为4H碳化硅晶体(13)。由于4H碳化硅晶体具有很高的激光损伤阈值、较宽的透光范围(0.38-5.9μm及6.6-7.08μm)、较大的二阶非线性光学系数(d15＝6.7pm/V)、较大的双折射、高热导率(490Wm-1K-1)以及高化学稳定性等特点，使得本发明的非线性光学器件在输出高功率、高光束质量的中红外激光方面更好地满足实际应用需求，具有显著地实际应用价值。 |
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