| 专利名称 | 适用于高温氧化物晶体生长的辅助监测系统 | 申请号 | CN201310095356.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103194803A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李红军;陈伟超;唐慧丽;徐军;钱小波;胡克艳;王静雅;汪传勇;吴锋;唐飞 | 主分类号 | C30B35/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B35/00(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 专利有效期 | 适用于高温氧化物晶体生长的辅助监测系统 至适用于高温氧化物晶体生长的辅助监测系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种适用于高温氧化物晶体生长的辅助监测系统，包括：夹持籽晶的籽晶夹持单元；设计为与所述籽晶夹持单元和所述籽晶绝缘的生长炉，所述生长炉容纳有用于生长晶体的熔体；以及一端连接到所述籽晶夹持单元，并且另一端连接到所述生长炉的电容监测单元，所述电容监测单元用于在晶体生长过程中监测随着晶体和熔体的相对比例变化而变化的电容值而输出电容信号。在晶体生长过程中，晶体和熔体的比例不断变化，由于熔体和晶体的介电常数不同，晶体生长过程中测得的电容值不同，从而监控电容值可以即时监控晶体和熔体混合物的介电常数，进而推导出晶体和熔体的比例，在一定程度上可即时反馈晶体生长状况，从而可以辅助监控晶体的生长状况。 |
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