| 专利名称 | 金属银有序多孔阵列膜的制备方法 | 申请号 | CN201210014106.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103194740A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 叶长辉;吴摞 | 主分类号 | C23C18/16(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C18/16(2006.01)I;C23C18/44(2006.01)I | 专利有效期 | 金属银有序多孔阵列膜的制备方法 至金属银有序多孔阵列膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种金属银有序多孔阵列膜的制备方法。它先将聚苯乙烯球溶液涂敷至基片上，再对其使用等离子体刻蚀，得到其上置有松散状有序排列的聚苯乙烯球模板的基片，接着，先将硝酸银、氢氟酸和水混合后得到成核溶液，再将其上置有松散状有序排列的聚苯乙烯球模板的基片置于成核溶液中水平静置沉积，得到基片上的聚苯乙烯球之间生长有银籽晶核，随后，先依次向硝酸银水溶液中加入氨水、冰醋酸、水合肼和水，得生长溶液，再将其上置有的聚苯乙烯球之间生长有银籽晶核的基片置于生长溶液中水平静置沉积，得中间产物，之后，将中间产物置于溶剂中溶去聚苯乙烯球，制得金属银有序多孔阵列膜。它具有低成本、工艺简单、制得的目标产物品质高的特点。 |
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