| 专利名称 | 一种反应等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法 | 申请号 | CN201210002114.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103194716A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文东;闫坤坤;黄春;刘邦武;夏洋 | 主分类号 | C23C4/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C4/12(2006.01)I;C23C4/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种反应等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法 至一种反应等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种反应等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法，包括如下步骤：步骤(1)，选取碳化硼粉，并将碳化硼粉送入等离子体喷涂设备；步骤(2)，对被喷涂的基材表面进行预处理；步骤(3)，通过反应等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出碳化硼涂层。本发明使用甲烷气(CH4)代替氢气作为辅助工作气体进行喷涂，甲烷气电离后具有还原性能保护B4C不被氧化，同时因为气体中含有C，通过其与B4C的反应，可降低甚至防止B4C在高温下的C流失，获得性能良好的B4C涂层。 |
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