| 专利名称 | 高导热性的钨铜热沉和电子封装材料及其制备方法 | 申请号 | CN201210004361.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103194712A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 牛亚然;郑学斌;谢有桃;黄利平;季珩 | 主分类号 | C23C4/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C4/08(2006.01)I;C23C4/12(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I | 专利有效期 | 高导热性的钨铜热沉和电子封装材料及其制备方法 至高导热性的钨铜热沉和电子封装材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种高导热性的钨铜热沉和电子封装材料，所述钨铜热沉和电子封装材料由铜或铜合金基体以及通过真空等离子体喷涂工艺形成在所述铜或铜合金基体上的钨铜复合涂层组成，其中，所述钨铜热沉和电子封装材料的室温导热系数为300W/(m·K)以上，所述钨铜复合涂层的气孔率小于3%，所述钨铜复合涂层的厚度为100～2000μm，而且在所述钨铜复合涂层中的铜的重量百分比含量为10～40%。 |
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