| 专利名称 | 一种等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法 | 申请号 | CN201210001927.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN103194714A | 公开(授权)日 | 2013.07.10 | 申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 王文东;黄春;闫坤坤;夏洋 | 主分类号 | C23C4/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C4/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法 至一种等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法,包括如下步骤:步骤(1),将碳化硼粉和碳粉均匀混合,将混合后的粉末送入等离子体喷涂设备;步骤(2),对被喷涂的基材表面进行预处理;步骤(3),通过所述等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂,制备出碳化硼涂层。本发明使用碳掺杂B4C粉等离子喷涂方法制备涂层,当射流喷出后,石墨粉不仅能优先和氧气发生反应,避免B4C的氧化,而且碳的加入,抑制了B4C的高温分解,可降低甚至防止B4C在高温下的C流失,获得性能良好的B4C涂层,同时,碳掺杂不会在涂层中引入杂质元素,保证了涂层质量,且石墨粉的加入可增加粉的流动性,更有利于喷涂。 |
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