| 专利名称 | 二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物材料及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201310126328.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103193962A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 霍利军;侯剑辉 | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G61/12(2006.01)I;C07D519/00(2006.01)I;C07D495/22(2006.01)I;C08L65/00(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I | 专利有效期 | 二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物材料及其制备方法与应用 至二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物材料及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物材料及其制备方法与应用。该聚合物的结构式如式Ⅰ所示，其中，R1为碳原子数为4到20的直链或支链的烷基；R2为是氢原子或碳原子数为4到20的直链或支链的烷基；R3和R4选自下述基团中的任意一种：氢，碳原子数为1-30的未取代或卤素取代的直链或支链的烷基、烷氧基、砜基、亚砜基、酯基、羰基，氰基，硝基，芳基，芳烷基，卤素，单键、双键、三键或其组合的取代基取代的芳基；m代表聚合物中噻吩的重复单元个数，其为0-3之间的自然数；n代表聚合物的重复单元个数，其为5-1000之间的自然数。本发明的聚合物材料可应用于光电领域如有机太阳能电池和高迁移场效应管领域。 |
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