| 专利名称 | 一种半导体结构 | 申请号 | CN201190000059.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203038895U | 公开（授权）日 | 2013.07.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构 至一种半导体结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种半导体结构，该半导体结构包括SOI衬底、栅极结构、侧墙和金属层，其中：所述SOI衬底包括SOI层和BOX层；所述栅极结构形成在所述SOI层之上；所述金属层形成在所述栅极结构两侧的所述SOI衬底内，该金属层与所述栅极结构下方的所述SOI层相接触，并延伸至所述BOX层内；所述金属层与所述BOX层之间存在侧墙，所述金属层与所述SOI衬底的隔离区之间也存在侧墙。本实用新型提供的制造方法和半导体结构使得半导体器件在工作时金属层与SOI衬底的体硅层之间的电容减小，有利于提升半导体器件的性能。 |
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